现象：使用MSP430F249单片机，LFXT接32K晶振，高频晶振接12M。
程序A ：
void main(void)
{
uint j;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;
LPM3;
}
程序B：
void main(void)
{
uint j;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;
BCSCTL1 = 0;//高频晶振打开，低频晶振低频模式，ACLK不分频
BCSCTL2 = SELM_2 | DIVM_0 | SELS | DIVS_0;//MCLK、SMCLK选择高频晶振，1分频，
BCSCTL3 = XT2S_2 | LFXT1S_0 | XCAP_3;//32K低频晶振，并配置负载电容
while(IFG1 & OFIFG){
IFG1 &= ~OFIFG;
for(j = 0; j < 1000; j++);
}
LPM3;
}
用万用表测得使用程序A功耗为3uA，而使用程序B功耗为1.5mA。
同时有程序C验证晶振正确起振：
void main(void)
{
uint j;
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD;
BCSCTL1 = 0;//高频晶振打开，低频晶振低频模式，ACLK不分频
BCSCTL2 = SELM_2 | DIVM_0 | SELS | DIVS_0;//MCLK、SMCLK选择高频晶振，1分频，
BCSCTL3 = XT2S_2 | LFXT1S_0 | XCAP_3;//32K低频晶振，并配置负载电容
while(IFG1 & OFIFG){
IFG1 &= ~OFIFG;
for(j = 0; j < 1000; j++);
}
P5DIR |= 0x70; // P5.6,5,4 outputs
P5SEL |= 0x70; // P5.6,5,4 options
while(1);
//LPM3;
}
程序B功耗高可能是哪里的问题？不解，诚心请教！ | 
